レーザーテック株式会社は、1960年の創業以来「世の中にないものをつくり、世の中のためになるものをつくる」という開発精神のもと、光応用技術と画像処理技術を極限まで追求してきた検査・計測装置メーカーです。半導体向けマスク検査装置をはじめ、SiC・GaNに代表される化合物半導体ウェハ検査の分野で世界中の半導体メーカーから信頼を獲得しています。
本記事では、ウェハ検査領域を牽引するレーザーテック株式会社の技術的強みや特徴、対応可能な検査対象・欠陥タイプ、代表的なウェハ検査装置（SICA108、GALOIS211など）の性能について詳しく解説します。
レーザーテックの欠陥検査装置は、透明材料や高屈折率材料、積層構造を持つ先端半導体材料など、従来の検査手法では検出が難しかったワークに対しても高精度に対応します。微分干渉光学系による極微小な段差のコントラスト強調や、波長選択フィルタによる多層膜干渉の除去など、用途に応じた最適な光学設計によって、製造プロセスで生じるあらゆる欠陥を非破壊・インラインで的確に捉えます。
パワー半導体の中核材料であるSiCウェハ向けに開発された欠陥検査/レビュー装置です。SiC特有の欠陥検出に最適化された表面検査と、フォトルミネッセンス（PL）による同時検査を高速で実行可能。ウェハ表面の傷・異物だけでなく、デバイス性能に直結する基底面内転位（BPD）や積層欠陥（SF）などの結晶欠陥を高感度に検出します。高解像度レビュー画像の取得と高精度自動欠陥分類（ADC）により迅速な詳細解析を可能にし、AGVやOHTといった自動搬送システムにも対応。SiCウェハの受入・出荷検査からエピタキシャル成長・研磨・デバイス製造プロセスの管理まで幅広く活用されています。
高周波・高耐圧デバイス用材料として注目されるGaNウェハに対応した検査/レビュー装置です。透明基板の検査に適したコンフォーカル光学系を採用することで裏面反射の影響を排除し、微分干渉光学系によって微細なシャロースクラッチや結晶欠陥を高感度検出します。光源と光学フィルタによる波長選択機能により、GaN on SiCなどのヘテロエピタキシャル構造で生じる膜干渉を回避した適切な検査が可能。画像処理によってGaN特有の表面モルフォロジー影響も克服し、6インチウェハを6分で高速検査するスループットを備えており、量産ラインでの歩留まり向上・材料開発を力強く支えます。
3D NANDをはじめとする多積層化・微細化が進む半導体プロセス向けに開発された内部欠陥検査/レビュー装置です。独自の光学系により、ウェハ貼り合わせ後や多層積層構造の内部に存在する微細欠陥を高感度かつ非破壊で検出します。レビュー光学系との組み合わせによって内部欠陥の「深さ方向の分類」を高精度に行える点が大きな特長であり、量産ラインに対応した高スループット設計を実現。積層工程や接合プロセスにおける不良発生メカニズムの早期特定と歩留まり早期立ち上げに貢献します。
表面欠陥検査装置は、目的の検査や対象物に対応しているかで選ぶのが大前提です。
基本性能やコストはもちろん、そのメーカーを選ぶことで
どんなメリットが得られるのかを見極め、導入効果の効率化を図りましょう。
レーザーテック株式会社は、共焦点光学技術や微分干渉光学系、高度な自動欠陥分類（ADC）技術を強みに、難度の高い化合物半導体（SiC・GaN）や先端半導体プロセスの品質保証を支えるグローバルリーダーです。目視検査の限界を打破するだけでなく、表面・内部の微小結晶欠陥まで量産インラインで高速全数検査できる同社の装置群は、製造現場の省人化・不良流出防止・歩留まり向上に直結します。次世代半導体の量産体制構築や高精度な自動検査ラインの導入を目指す現場において、極めて高い導入効果を発揮するメーカーです。
| 社名 | レーザーテック株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 神奈川県横浜市港北区新横浜2-10-1 |
| 設立 | 1960年7月 |
| 公式サイト | https://www.lasertec.co.jp/ |
